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Si3445DV
Vishay Siliconix
TYPICAL CHARACTERISTICS 25 °C, unless otherwise noted
20
10
0.20
0.16
0.12
I D = 5.6 A
1
T J = 150 °C
T J = 25 °C
0.0 8
0.04
0.00
0.00
0.25
0.50 0.75 1.00 1.25
1.50
0
1
2
3
4
5
0.4
V SD - So u rce-to-Drain V oltage ( V )
Source-Drain Diode Forward Voltage
25
V GS - Gate-to-So u rce V oltage ( V )
On-Resistance vs. Gate-to-Source Voltage
20
0.2
I D = 250 μA
15
10
0.0
5
- 0.2
0
- 50
- 25
0
25
50
75
100
125
150
0.01
0.1
1
10
100
600
T J - Temperat u re (°C)
Threshold Voltage
Time (s)
Single Pulse Power
2
1
D u ty Cycle = 0.5
0.2
N otes:
t 1
0.1
0.1
0.05
0.02
Single P u lse
P DM
t 1
t 2
1. D u ty Cycle, D =
t 2
2. Per Unit Base = R thJA = 106 °C/ W
3. T JM - T A = P DM Z thJA(t)
4. S u rface Mo u nted
0.01
10 -4
10 -3
10 -2
10 -1
1
10
100
600
Sq u are W a v e P u lse D u reation (s)
Normalized Thermal Transient Impedance, Junction-to-Ambient
Vishay Siliconix maintains worldwide manufacturing capability. Products may be manufactured at one of several qualified locations. Reliability data for Silicon
Technology and Package Reliability represent a composite of all qualified locations. For related documents such as package/tape drawings, part marking, and
reliability data, see www.vishay.com/ppg?70820 .
www.vishay.com
4
Document Number: 70820
S09-0766-Rev. C, 04-May-09
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